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半导体储存器的晶体管结构及其制造方法
摘要文本
本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成有源区及与之相交的字线；在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料；在衬底上形成位线并与有源区相交错；刻蚀未被位线遮盖的导电材料，形成位线接触垫；以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子，形成离子再注入区域，并利用离子的散射在有源区靠近字线的侧边形成离子再注入扩散区域。本发明通过接触窗中狭窄的未覆盖区域注入离子，形成离子再注入区域和离子再注入扩散区域，在不影响位线接点的电流路径及阻值的前提下，降低了有源区原始掺杂的浓度，减缓了电场强度并改善了漏电。
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体储存器的晶体管结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810241906.0 |
| 申请日 | 2018/3/22 |
| 公告号 | CN110299324B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L21/8234 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 吴小飞 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 |
专利主权项内容
1.一种半导体储存器的晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底中形成多个有源区；形成多个埋入式的字线于所述衬底中，每个所述有源区与两个所述字线相交；刻蚀所述衬底的所述有源区中在相交的两个所述字线间的中央区域，以形成接触窗；沉积导电材料于所述接触窗及所述衬底在所述有源区之间的区域上；形成位线于所述衬底上；以所述位线为掩膜刻蚀所述导电材料，以在所述接触窗中形成位线接触垫，其中，所述位线和所述有源区的迭合区域在形状与尺寸上非完全匹配于所述接触窗，使所述位线接触垫形成在所述位线覆盖所述有源区的区域下且不完全填满所述接触窗，所述接触窗包括未覆盖所述位线接触垫及所述位线的区域；以及通过所述接触窗的未覆盖区域向所述有源区注入离子，以形成离子再注入区域，以减缓所述接触窗在所述位线的交迭区域外的电场强度。