半导体结构、存储装置、半导体器件及其制造方法

专利主权项内容

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供多个晶圆，各所述晶圆均包含多个间隔设置的半导体结构，所述半导体结构包括芯片、电源线以及第一焊盘组件，其中：电源线设于所述芯片，且沿预设方向延伸；第一焊盘组件设于所述芯片且位于所述电源线一侧，所述第一焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；所述间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，所述第一间隙和所述第二间隙的宽度均大于所述第三间隙；所述第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，所述电源焊盘与所述电源线连接，且位于所述第一间隙和所述第二间隙之间；所述电源焊盘、所述第一间隙和所述第二间隙均位于所述电源线的两端之间；对各所述晶圆上的半导体结构的芯片进行检测，确定存在电路故障的芯片，作为目标芯片；在所述目标芯片的第一间隙和第二间隙，对所述目标芯片的电源线进行切割；将各所述晶圆堆叠设置，且分属相邻两所述晶圆的芯片一一正对设置。