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电容测试器件及其形成方法
摘要文本
本发明提供了一种电容测试器件及其形成方法。电容测试器件包括：由N个等效电容单元串联连接而构成的电容测试链；与电容测试链中的第1个等效电容元件电性连接的第一接触层；以及，与电容测试链中的第N个等效电容元件电性连接的第二接触层。在对电容测试器件进行检测时，可通过对第一接触层和第二接触层施加相应的电信号，并根据反馈信号以获取等效电容单元中电容元件的电容参数。本发明中基于多个等效电容单元实现所形成的电容元件的电容参数的检测，能够更为精确的反映出对应的电容器件的制备工艺是否存在异常，并判断所形成的电容器件的性能。
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电容测试器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811057988.X |
| 申请日 | 2018/9/11 |
| 公告号 | CN109283410B |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | G01R31/00 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 |
专利主权项内容
1.一种电容测试器件，其特征在于，包括：一电容测试链，所述电容测试链包括N个串联连接的等效电容单元，N个所述等效电容单元的等效电容值相同，N为大于1的正整数，所述等效电容单元具有下电极和包覆所述下电极的上电极；一第一接触层，形成在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第1个等效电容单元的所述上电极电性连接；一第二接触层，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在第N个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第N个等效电容单元的所述上电极电性连接；当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并与所述第N个等效电容单元的所述下电极电性连接；以及，一衬底，所述衬底上形成有所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层。 （更多数据，详见马克数据网）