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电容结构及其形成方法
摘要文本
本发明提供一种电容结构及其形成方法，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于所述基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；顶部支撑层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于顶部支撑层，形成位于顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部；固定层，形成于所述电容柱延伸部的外围，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，同时也避免了其形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，大大提高了电容结构的稳定性和器件性能。
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电容结构及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811146201.7 |
| 申请日 | 2018/9/29 |
| 公告号 | CN109148426B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L23/64 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 王晓玲 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 |
专利主权项内容
1.一种电容结构，包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，所述电容柱形成于所述基板上，并与所述电容触点接合，所述电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；顶部支撑层，平行于所述基板，所述多个电容柱贯穿于所述顶部支撑层，形成位于所述顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部，所述顶部支撑层与延伸出所述顶部支撑层上方的所述下电极层构成顶部沟槽，所述第一介电层位于所述下电极层和所述顶部支撑层上；固定层，形成于所述电容柱延伸部的外围，所述固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部，所述固定层全部或部分覆盖所述顶部沟槽。