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掩膜板和电容器阵列、半导体器件及其制备方法

申请号: CN201811173407.9
申请人: 长鑫存储技术有限公司
申请日期: 2018/10/9

摘要文本

本发明提供了一种掩膜板和电容器阵列、半导体器件及其制备方法,能够通过一次曝光工艺制作出电容孔阵列以及围绕在电容孔阵列周围且具有波浪形侧壁的环形沟槽,所述环形沟槽的操作窗口较大,能够避免刻蚀不到位的情况,从而能够防止电容器阵列边界形成多余且较小的电容开口,进而提高最终制得的器件的可靠性。。 (更多数据,详见马克数据网)

专利详细信息

项目 内容
专利名称 掩膜板和电容器阵列、半导体器件及其制备方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201811173407.9
申请日 2018/10/9
公告号 CN111025845B
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 G03F1/70
权利人 长鑫存储技术有限公司
发明人 吴晗
地址 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

专利主权项内容

1.一种掩膜板,其特征在于,用于制作电容器阵列,所述掩膜板具有第一网格图案和环绕在所述第一网格图案周围的第一环形图案,所述第一网格图案由沿第一方向延伸的第一线条和沿第二方向延伸的第二线条交织而成,所述第一网格图案中的每个第一网格定义一个电容器的位置,所述第一环形图案包括紧挨并围绕在所述第一网格图案周围的环形沟道以及围绕在所述环形沟道远离所述第一网格图案一侧的外围图案,所述外围图案用于遮蔽所述环形沟道外围的区域;所述第一线条的边界到所述外围图案的边界之间的水平距离小于或等于所述第二线条的边界到所述外围图案的边界之间的水平距离,使得所述第一线条和所述第二线条在所述第一网格图案的部分或所有的边界处交织形成不完全封闭的第一缺口,所述第一缺口与所述环形沟道连通并用于在所述电容器阵列的制备工艺中制作相应的图形化掩膜层的第二缺口,以在所述电容器阵列的制备工艺中,基于所述图形化掩膜层为掩膜,刻蚀相应的牺牲层和支撑层后,形成的环形沟槽紧挨电容孔阵列的所有侧壁中,对应没有第二缺口的第一侧壁为平整侧壁,对应第二缺口的第二侧壁为波浪形侧壁。