一种含有阻焊功能的陶瓷集成电路及其制备方法

专利主权项内容

1.一种含有阻焊功能的陶瓷集成电路的制备方法，其特征在于，包括步骤：通过激光加工，将陶瓷集成电路基片的金属层中的金层去除，并将下层的钯层和镍层氧化，最终形成多条氧化层沟壑，对焊料起到阻流的作用；多条氧化层沟壑横跨焊桥至封装导电柱的直线路径上；再使用激光加工将氧化层沟壑延伸方向两端的金属层全部去除，在陶瓷集成电路基片的基板上形成溢流槽，起到阻止焊料溢流扩散的作用；溢流槽分布于焊桥至封装导电柱的直线路径的两侧；各氧化层沟壑端部与对应侧的溢流槽连通；在加工氧化层沟壑过程中，或者在加工氧化层沟壑和溢流槽的过程中设置：激光加工的功率小于或等于500W；和/或加工次数为1次~100次；和/或加工频率为50 kHz~1000 kHz；和/或脉冲宽度为0.1 μs~50 μs；在加工氧化层沟壑过程中，或者在加工氧化层沟壑和溢流槽的过程中：设置加工速度为：100 mm/s~1000 mm/s；在加工氧化层沟壑过程中，或者在加工氧化层沟壑和溢流槽的过程中：设置激光起始角度为0~10°，累进角度为0~90°；所述金属层依次包括铜膜、镍膜、钯膜和金膜；铜膜厚度为10 μm~100 μm，镍膜厚度为1μm~10 μm，钯膜厚度为0.1 μm~1 μm，金膜厚度为0.1 μm~10 μm。