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一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法
摘要文本
本发明公开一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法，通过电化学镀金处理改善了从注射器挤出的EGaIn液滴与不锈钢针头的结合力，在精密操作台的辅助下，EGaIn液滴在注射器针头与牺牲板的之间拉伸至临界半径处，针头顶端形成稳定的圆锥状尖端，用于器件测试的接触。本发明的技术方案提高EGaIn针尖的形貌稳定性，进而提高了微纳器件电学测试的准确性和可靠性。
申请人信息
- 申请人:天津大学
- 申请人地址:300072 天津市南开区卫津路92号
- 发明人: 天津大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311693256.0 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117753943A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | B22D17/32 |
| 权利人 | 天津大学 |
| 发明人 | 于曦; 樊亚聪; 韩宾; 李瑶 |
| 地址 | 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区 |
专利主权项内容
1.一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法，其特征在于，将EGaIn置于注射器中，通过控制注射器的挤压力度挤出EGaIn液滴，与牺牲板接触，EGaIn液滴润湿并粘附在牺牲板上；控制注射器的抬高速度，EGaIn液滴在注射器针头和牺牲板之间发生拉伸，形成沙漏状，至临界半径处，EGaIn液滴不再保持连续状态，在注射器针头上，形成EGaIn圆锥体，其表面为GaO；注射器的针头进行镀金处理，以增强EGaIn液滴与针头的结合力。23