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一种集成电路、芯片及电子设备
摘要文本
本发明提供了一种集成电路、芯片及电子设备，其中，所述电阻绝缘层横跨多个栅极、以及相邻MOS管之间的间隔；在所述电阻绝缘层上形成电阻层，所述电阻层横跨多个栅极、以及相邻MOS管之间的间隔，所述电阻由所述电阻层形成，所述电阻层朝所述有源层的投影不落入所述源极区域和漏极区域；所述电阻层通过位于所述电阻层两端的电阻接触孔、所述栅极通过栅极接触孔、所述源极区域通过源极接触孔、所述漏极区域通过漏极接触孔分别与位于所述电阻层上方金属连接层中各自的端点连接，其中，所述电阻接触孔、栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔朝有源层的投影互不重叠。
申请人信息
- 申请人:珠海市杰理科技股份有限公司
- 申请人地址:519000 广东省珠海市香洲区科兴路333号
- 发明人: 珠海市杰理科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种集成电路、芯片及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311447060.3 |
| 申请日 | 2023/11/1 |
| 公告号 | CN117613037A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L23/64 |
| 权利人 | 珠海市杰理科技股份有限公司 |
| 发明人 | 张宝月; 林静玲; 辛辅炼; 凌文辉; 庄泽鑫; 曾学栩; 刘志桐 |
| 地址 | 广东省珠海市香洲区科兴路333号 |
专利主权项内容
1.一种集成电路，包括一个电阻和并排的多个MOS管，每个MOS管包括栅极、以及位于有源层的沟道区域、源极区域和漏极区域，相邻MOS管之间具有间隔，其特征在于，所述集成电路还包括形成在栅极表面上的电阻绝缘层，所述电阻绝缘层横跨多个栅极、以及相邻MOS管之间的间隔；在所述电阻绝缘层上形成电阻层，所述电阻层横跨多个栅极、以及相邻MOS管之间的间隔，所述电阻由所述电阻层形成，所述电阻层朝所述有源层的投影不落入所述源极区域和漏极区域；所述电阻层通过位于所述电阻层两端的电阻接触孔、所述栅极通过栅极接触孔、所述源极区域通过源极接触孔、所述漏极区域通过漏极接触孔分别与位于所述电阻层上方金属连接层中各自的端点连接，其中，所述电阻接触孔、栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔朝有源层的投影互不重叠，且所述栅极接触孔与所述电阻层错开。。来源：百度马 克 数据网