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一种上电复位电路及集成电路系统
摘要文本
本发明公开了一种上电复位电路及集成电路系统，涉及复位电路技术领域，复位电路包括：第一NMOS管，第一NMOS管的漏极连接系统电源，第一NMOS管的栅极接地，第一NMOS管的源极用于输出参考电压；电流镜电路和反相器，电流镜电路用于复制参考电压的电流值输出至反相器的输入端；第二NMOS管和分压电路，分压电路用于将系统电源电压分压输出给第二NMOS管的栅极；第二NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极连接反相器的输入端；当系统电源电压低于预设阈值时，则反相器的输出端输出低电平的复位信号，当系统电源电压高于预设阈值时，则反相器的输出端输出高电平的停止复位信号。本申请能够在低电压下稳定工作，并且面积相比于传统的上电复位电路也能够大幅度优化。 百度搜索马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:中科南京智能技术研究院
- 申请人地址:211135 江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园8栋8层
- 发明人: 中科南京智能技术研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种上电复位电路及集成电路系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311510152.1 |
| 申请日 | 2023/11/13 |
| 公告号 | CN117728810A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H03K17/22 |
| 权利人 | 中科南京智能技术研究院 |
| 发明人 | 游恒; 尚德龙; 周玉梅 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园8栋8层 |
专利主权项内容
1.一种上电复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接系统电源，所述第一NMOS管的栅极接地，所述第一NMOS管的源极用于输出参考电压；电流镜电路，所述电流镜电路的一端用于接收所述参考电压，所述电流镜电路的另一端用于复制参考电压的电流值进行输出；第二NMOS管和分压电路，所述分压电路的输入端接收系统电源，所述分压电路的输出端连接所述第二NMOS管的栅极，所述分压电路用于控制所述第二NMOS管工作；反相器，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极连接所述反相器的输入端和所述电流镜电路的另一端；当系统电源电压低于预设阈值时，则反相器的输出端输出低电平的复位信号，当系统电源电压高于预设阈值时，则反相器的输出端输出高电平的停止复位信号。