测量方法、装置、系统、晶体管、集成电路、介质及设备
摘要文本
本发明提供一种测量方法、装置、系统、晶体管、集成电路、介质及设备,涉及半导体量子计算技术领域。本发明通过将待测量子点所在的量子点对定义为目标量子点对,将与目标量子点对相邻的任一量子点对定义为闲置量子点对,能将适用于单个量子点对的基于泡利自旋阻塞状态的自旋选择性隧穿扩展至多个量子点对中的任一量子点对,通过引入闲置量子点对处于导通状态,将闲置量子点对作为部分电荷库从而无需考虑闲置量子点对的量子点特征,降低了测量复杂性,能基于输运测量确定栅极电压的最优配置,能基于栅极反射计装置通过量子计算获取待测量子点的空穴自旋方向,能更准确地测量鳍式场效应晶体管中多个量子点中任一量子点的空穴自旋方向。
申请人信息
- 申请人:苏州元脑智能科技有限公司
- 申请人地址:215128 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢
- 发明人: 苏州元脑智能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 测量方法、装置、系统、晶体管、集成电路、介质及设备 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311847252.3 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117491835B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G01R31/26 |
| 权利人 | 苏州元脑智能科技有限公司 |
| 发明人 | 李红珍; 张新; 李辰; 姜金哲 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢 |
专利主权项内容
1.一种测量方法,其特征在于,应用于目标鳍式场效应晶体管中任一量子点的空穴自旋方向,所述目标鳍式场效应晶体管包括一维鳍通道、源极、漏极、一个引导栅极对、多个柱塞栅极对以及多个势垒栅极,各所述柱塞栅极对设置于所述一维鳍通道的上方并沿所述一维鳍通道的延伸方向依次排列,每一所述柱塞栅极对中的两个柱塞栅极之间设置有一个势垒栅极,每一所述柱塞栅极对的下方形成有一个量子点对;所述方法,包括:控制目标量子点对处于测量状态,所述目标量子点对为所述目标鳍式场效应晶体管中待测量子点所在的量子点对;在控制所述目标量子点对由所述测量状态变更为泡利自旋阻塞状态以及控制闲置量子点对处于导通状态的情况下,获取目标参数的最优值,所述闲置量子点对为与所述目标量子点对相邻的任一量子点对,所述目标参数包括所述源极与所述漏极之间的源漏电压、施加在所述引导栅极对上的引导电压、施加在各所述柱塞栅极对中的目标柱塞栅极对上的目标柱塞电压以及施加在各所述势垒栅极中的目标势垒栅极上的目标势垒电压,所述目标柱塞栅极对包括目标柱塞栅极和辅助柱塞栅极,所述目标柱塞栅极对为位于所述目标量子点对上方的柱塞栅极对,所述目标势垒栅极为设置于所述目标柱塞栅极对中两个柱塞栅极之间的势垒栅极;在所述目标量子点对处于所述泡利自旋阻塞状态且所述闲置量子点对处于所述导通状态的情况下,将所述目标参数调谐为所述最优值;在所述闲置量子点对处于所述导通状态且控制所述目标量子点对由所述泡利自旋阻塞状态变更为库仑阻塞状态的情况下,对所述目标柱塞栅极施加微波脉冲信号;在所述闲置量子点对处于所述导通状态且控制所述目标量子点对由所述库仑阻塞状态恢复为所述泡利自旋阻塞状态的情况下,对所述目标柱塞栅极施加射频脉冲信号,进而利用栅极反射计测量装置测量得到所述待测量子点的空穴自旋方向。