集成电路制造方法以及集成电路装置

摘要文本

集成电路制造方法以及集成电路装置。所述半导体制造方法包括：通过溅射或溅镀方式在半导体晶圆上设置导电层，其中所述半导体晶圆包括连接垫，所述导电层电性连接至所述连接垫；在所述导电层上涂布光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，经图案化处理的所述光阻层位于所述连接垫上方；对所述导电层进行图案化处理以形成包覆于所述光阻层之中的导电凸块；以及将经图案化处理的所述光阻层去除。所述集成电路装置包括：晶圆、介电层、连接垫、阻挡层以及导电凸块。所述介电层设置于所述晶圆之上。所述连接垫设置于所述晶圆之上。所述阻挡层设置于所述连接垫之上。所述导电凸块与所述连接垫电性连接。所述导电凸块的高度在2nm‑2μm的范围内。