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一种用于芯片的金属电极及其制作方法

申请号: CN202311775510.1
申请人: 墨卓生物科技(浙江)有限公司
申请日期: 2023/12/22

摘要文本

本发明提供一种用于芯片的金属电极及其制作方法,属于半导体技术领域;其制备工艺包括以下步骤:熔炼金属原料制备合金棒;等离子束熔化并快速冷却固化制备合金粉末;预处理芯片并真空蒸镀锆层、铟层和铝层;制备镍层并激光熔覆合金粉末。本发明通过以纯铜、纯镍、纯锡、纯锌以及铜和硅、铝、锆的中间合金为原料制备合金棒,再将该合金棒制成合金粉末,然后通过激光熔覆将其熔覆在镍层表面,作为保护层,该保护层的导电性能和纯铜相当,但是具有比纯铜保护层更好的耐腐蚀性和耐磨性,从而能够达到延长金属电极使用寿命的效果。 关注公众号马克数据网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于芯片的金属电极及其制作方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311775510.1
申请日 2023/12/22
公告号 CN117448819B
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 C23C28/02
权利人 墨卓生物科技(浙江)有限公司
发明人 郑涵睿; 裴颢; 郑文山
地址 浙江省嘉兴市桐乡市乌镇镇龙翔大道1888号2幢北侧3-7楼

专利主权项内容

1.一种用于芯片的金属电极的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:熔炼金属原料制备合金棒将纯铜、纯镍、纯锡、Cu-10Si、Cu-30Al、Cu-50Zr和纯锌熔化,再加入冰晶石和氟化钙精炼剂,边搅拌边捞渣,再注入模具中,冷却后,得到合金棒;S2:等离子束熔化并快速冷却固化制备合金粉末将上述合金棒接通电流并通过转轴带动其高速转动,然后向转动的合金棒发射等离子束,将其熔化,形成液滴并抛出,快速冷却固化后,得到合金粉末;S3:预处理芯片并真空蒸镀锆层、铟层和铝层将芯片进行预处理,再通过电子束蒸发真空镀膜机在预处理后的芯片表面真空蒸镀锆层,经过激光毛化处理后,再继续蒸镀铟层和铝层,得到复合金属层电极;S4:制备镍层并真空蒸镀合金粉末在上述复合金属层电极表面通过磁控溅射制备镍层,然后将上述合金粉末真空蒸镀在镍层表面,形成保护层,退火后,得到金属电极;合金棒的组分为:0.8-1.2wt%镍、0.8-1.2wt%锡、0.4-0.6wt%锌、0.4-0.6wt%铝、0.12-0.16wt%硅和0.03-0.05wt%锆,余量为铜;锆层的厚度为20-30nm,铟层的厚度为8-10nm,铝层的厚度为30-50nm;镍层的厚度为20-40nm,保护层的厚度为40-50nm。 来自:www.macrodatas.cn