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一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法
摘要文本
本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。 来自：www.macrodatas.cn
申请人信息
- 申请人:乌镇实验室
- 申请人地址:314500 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号
- 发明人: 乌镇实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311709975.7 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117385473A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | C30B29/46 |
| 权利人 | 乌镇实验室 |
| 发明人 | 白旭东; 万舜; 魏天然; 金敏; 赵琨鹏; 金涵 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号 |
专利主权项内容
1.一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)高纯单质经过熔融反应得到类金刚石CuXYZ晶体原料(X = Zn、Cd、Mn、Fe、Co，Y =Sn、Ge，Z = S、Se、Te)；242)将CuXYZ晶体原料放入石英坩埚，石英坩埚依次抽真空、充入惰性气体、密封；243)将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚沿垂直方向依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到四元铜基类金刚石半导体晶体；所述高温熔化区的温度为950-1200 ℃、中温生长区的温度为750-950 ℃、低温退火区的温度为450-750 ℃；中温生长区的温度梯度为10-30 ℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2-3 mm/h。