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一种复合衬底及其制备方法

申请号: CN202311786539.X
申请人: 天通瑞宏科技有限公司
申请日期: 2023/12/25

摘要文本

本发明提供一种复合衬底及其制备方法,所述制备方法包括:将第一晶圆和第二晶圆进行第一键合,对所述第二晶圆进行第一减薄处理得到复合晶圆;所述复合晶圆的第二晶圆一侧与压电晶圆进行第二键合,对所述压电晶圆进行第二减薄处理得到所述复合衬底。所述复合衬底的制备方法和复合衬底可最多实现三层单晶层,利用对每层材料的各向异性调控,可实现更丰富更精准的性能调控,从而解决现有复合衬底中无法解决的问题,实现器件性能的进一步提升。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种复合衬底及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311786539.X
申请日 2023/12/25
公告号 CN117460388A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 H10N30/086
权利人 天通瑞宏科技有限公司
发明人 沈君尧; 姚文峰; 许佳辉
地址 浙江省嘉兴市海宁市海昌街道谷水路306号1幢(东)

专利主权项内容

1.一种复合衬底的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:将第一晶圆和第二晶圆进行第一键合,对所述第二晶圆进行第一减薄处理得到复合晶圆;所述复合晶圆的第二晶圆一侧与压电晶圆进行第二键合,对所述压电晶圆进行第二减薄处理得到所述复合衬底。。微信公众号马克 数据网