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背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
摘要文本
本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，方法包括：提供基底，基底第一表面包括沿预设方向交替排布的第一区域和第二区域；在第一区域形成第一掺杂层，在第二区域形成与第一掺杂层导电类型不同的初始第二掺杂层，在第一掺杂层表面形成掩膜层，初始第二掺杂层包括：沿预设方向排布的第一部与第二部，第一部与第一掺杂层邻接；对第二部进行激光改性处理，以形成第二掺杂层；对第一部和第二掺杂层进行刻蚀工艺，去除第一部，刻蚀工艺对第二掺杂层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率；去除掩膜层。本申请实施例有利于在简化背接触太阳能电池的制备工艺的同时，保持其较好的光电转换性能。
申请人信息
- 申请人:浙江晶科能源有限公司
- 申请人地址:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 发明人: 浙江晶科能源有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311675825.9 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117374169B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 浙江晶科能源有限公司 |
| 发明人 | 冯修; 徐孟雷; 杨洁; 张昕宇 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 |
专利主权项内容
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一表面，所述第一表面包括沿预设方向交替排布的第一区域以及第二区域；在所述第一区域形成第一掺杂层，在所述第二区域形成初始第二掺杂层，以及在所述第一掺杂层表面形成掩膜层，所述第一掺杂层与所述初始第二掺杂层的导电类型不同，所述初始第二掺杂层包括：沿所述预设方向排布的第一部与第二部，所述第一部位于所述第二部的相对两侧，所述第一部与所述第一掺杂层邻接；对所述第二部进行激光改性处理，将所述第二部转化为第二掺杂层；对所述第一部以及所述第二掺杂层进行刻蚀工艺，去除所述第一部，所述刻蚀工艺对所述第二掺杂层的刻蚀速率小于对所述第一部的刻蚀速率；去除所述掩膜层。