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太阳能电池及其制备方法、光伏组件

申请号: CN202311287322.4
申请人: 晶科能源(海宁)有限公司
申请日期: 2023/10/8

摘要文本

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,太阳能电池包括:半导体衬底,半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;设置在半导体衬底的第二表面的第一氧化层、第一掺杂导电层、第二氧化层和第二掺杂导电层,第一氧化层位于半导体衬底与第一掺杂导电层之间,第二氧化层位于所述第一掺杂导电层和第二掺杂导电层之间,第一掺杂导电层包括多晶硅,第二掺杂导电层包括多晶硅、微晶硅和非晶硅中的至少两种;位于半导体衬底的第一表面的第一钝化层,穿过所述第一钝化层与半导体衬底形成电连接的第一电极;位于第二掺杂导电层表面的第二钝化层,穿过所述第二钝化层、第二掺杂导电层与第一掺杂导电层形成电连接的第二电极。 来自马克数据网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
专利类型 发明授权
申请号 CN202311287322.4
申请日 2023/10/8
公告号 CN117038748B
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 H01L31/0216
权利人 晶科能源(海宁)有限公司
发明人 廖光明; 戴健; 张彼克; 金井升; 张昕宇; 王钰林
地址 浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇安江路118号

专利主权项内容

1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;设置在所述半导体衬底的第二表面的第一氧化层、第一掺杂导电层、第二氧化层和第二掺杂导电层,所述第一氧化层位于所述半导体衬底与所述第一掺杂导电层之间,所述第二氧化层位于所述第一掺杂导电层和第二掺杂导电层之间,所述第一掺杂导电层是多晶硅,所述第二掺杂导电层包括多晶硅和微晶硅的组合、微晶硅和非晶硅的组合、多晶硅、微晶硅和非晶硅的组合中的任意一种,所述第一掺杂导电层的致密度大于所述第二掺杂导电层的致密度,所述第一掺杂导电层的晶界缺陷密度小于所述第二掺杂导电层的晶界缺陷密度,所述第一掺杂导电层的平均晶粒度大于所述第二掺杂导电层的平均晶粒度;位于所述半导体衬底的第一表面的第一钝化层,穿过所述第一钝化层与所述半导体衬底形成电连接的第一电极;位于所述第二掺杂导电层表面的第二钝化层,穿过所述第二钝化层、第二掺杂导电层与所述第一掺杂导电层接触的第二电极。