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一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心及制备方法
摘要文本
本发明属于磁性材料技术领域，涉及一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心及制备方法，铁基非晶复合磁粉心主要由FeSiBCCr非晶粉末与FeNi粉末组成，FeSiBCCr非晶粉末的粒径10‑20μm，FeNi粉末的粒径为1‑5μm，磁粉心制备方法为：将FeSiBCCr非晶粉末和通过磷酸钝化的FeNi粉末混合后，置于环氧树脂与有机溶剂的混合液体进行绝缘包覆处理，再进行压制成型、退火后，得到高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心。该磁粉心在100kHz频率下的磁导率为45.3，在50mT，500kHz条件下的总损耗为630kW/m3，在100mT，50kHz条件下的损耗Pcv=203kW/m3。
申请人信息
- 申请人:天通控股股份有限公司; 浙江天通电子信息材料研究院有限公司
- 申请人地址:314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号
- 发明人: 天通控股股份有限公司; 浙江天通电子信息材料研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心及制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311840648.5 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497278B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01F1/153 |
| 权利人 | 天通控股股份有限公司; 浙江天通电子信息材料研究院有限公司 |
| 发明人 | 刘鑫然; 张志; 张瑞标 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号; 浙江省嘉兴市海宁市硖石街道水月亭东路500号鹃湖科技创新园18幢(自主申报) |
专利主权项内容
1.一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心，其特征在于，包括FeSiBCCr非晶粉末与FeNi粉末，FeSiBCCr非晶粉末的粒径10-20μm，FeNi粉末的粒径为1-5μm；其中，FeNi粉末需置于磷酸与去离子水的混合溶液中进行钝化处理，磷酸的用量占FeNi粉末的质量分数为0.1-1.0wt%，去离子水的用量占FeNi粉末的质量分数为5-10wt%；其中，以FeSiBCCr非晶粉末与钝化后的FeNi粉末的总质量为计算基础，FeSiBCCr非晶粉末质量占比为50-65wt%，钝化后的FeNi粉末质量占比为35-50wt%，或者，FeSiBCCr非晶粉末质量占比为90-95wt%，钝化后的FeNi粉末质量占比为5-10wt%；其中，FeSiBCCr非晶粉末和钝化后的FeNi粉末需混合后置于环氧树脂与有机溶剂的混合溶液中进行绝缘包覆处理。 马 克 数 据 网