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一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法

申请号: CN202311616678.8
申请人: 宁波合盛新材料有限公司
申请日期: 2023/11/30

摘要文本

本申请公开了一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法,处理方法包括以下步骤,预处理步骤:将吸附剂进行高温除碳,得到预处理后的吸附剂;新热场吸氮步骤:将预处理后的吸附剂置于新热场的坩埚内,升温加压并维持一段时间,冷却后取出吸附剂;合成步骤:将硅粉和石墨粉混合均匀,置于新热场的坩埚内进行碳化硅粉体的合成反应,得到块状碳化硅,将碳化硅破碎、研磨、筛分、除碳、清洗和烘干,得到碳化硅粉体,可用于碳化硅单晶生长。本申请选用的吸附剂为碳化硅,节约经济成本,且除氮效果好。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311616678.8
申请日 2023/11/30
公告号 CN117585678A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 C01B32/984
权利人 宁波合盛新材料有限公司
发明人 张文忠; 浩瀚; 赵新田
地址 浙江省宁波市慈溪市周巷镇周西公路1999-9号

专利主权项内容

1.一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法,其特征在于,包括以下步骤,预处理步骤:将吸附剂进行高温除碳,得到预处理后的吸附剂;新热场吸氮步骤:将预处理后的所述吸附剂置于新热场的坩埚内,升温加压并维持一段时间,冷却后取出所述吸附剂;合成步骤:将硅粉和石墨粉混合均匀,置于新热场的坩埚内进行碳化硅粉体的合成反应,得到块状碳化硅,将所述碳化硅破碎、研磨、筛分、除碳、清洗和烘干,得到所述碳化硅粉体,可用于碳化硅单晶生长;所述吸附剂为碳化硅。