一种高纯材料晶粒细化方法
摘要文本
本发明涉及高纯铝硅合金材料的制备技术领域，具体为一种高纯材料晶粒细化方法，通过设置至少两组的超声发生器，使得超声发生器分别位于金属熔体上部和下部，利用上、下部超声发生器的交替发出超声波，利用上部的超声发生器发出超声波，引动金属熔体发生空化效应与声流效应，使得金属熔体中的H2气体不断的汇聚，而下部的超声发生器发出超声波，则是将位于金属熔体下部的再次通过声流效应向上导向排出，上、下部的超声发生器配合在金属熔体内部形成定向的声流效应，提升金属熔体内部H2气体排净率，进而提升材料的晶粒细化等级。
申请人信息
- 申请人:光微半导体材料(宁波)有限公司
- 申请人地址:315000 浙江省宁波市宁波杭州湾新区兴慈一路290号3号楼111-5室
- 发明人: 光微半导体材料(宁波)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高纯材料晶粒细化方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311165651.1 |
| 申请日 | 2023/9/11 |
| 公告号 | CN117701923A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | |
| 权利人 | 光微半导体材料(宁波)有限公司 |
| 发明人 | 吕培聪; 白君伟; 邵振亚 |
| 地址 | 浙江省宁波市宁波杭州湾新区兴慈一路290号3号楼111-5室 |
专利主权项内容
1.一种高纯材料晶粒细化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、材料热熔，采用上口外径为φ的坩埚炉熔化铝硅合金，得到熔融状态的金属熔体，控制金属熔体温度在740-750℃，其中铝硅合金的成分包括硅11-13％、铜≤0.18％、锰≤0.55％、镁≤0.4％、铁0.45-0.9％、锌≤0.3％、钛≤0.15％、锡≤0.01％、铅≤0.05％，余量为铝；步骤二、预热声源，将至少两组的超声波发生器与金属熔体液面接触进行预热15-20min，升温至在720-740℃；步骤三、放置声源，预热完成的超声波发生器通过超声波变幅杆插入到金属熔体内部，且相邻的超声波发生器呈间隔设置于金属熔体的上、下部，位于上部的超声发生器设置于金属熔体液面下20-40mm的位置处，朝下发出超声波，位于下部的超声发生器设置于金属熔体底部上方20-40mm的位置处，朝上发出超声波；步骤四、超声处理，金属熔体保温至740℃，超声波发生器对合金熔体进行2-4min的超声波处理，超声波处理的功率为800-1100W，频率在19.4-19.9kHz，处理过程中，超声发生器围绕金属熔体的中心轴旋转，旋转角度≥360°，且发出超声波时，位于上部的超声发生器与位于下部的超声发生器交替发出超声波；步骤五、除渣，通过清渣剂去除步骤四得到的金属熔体中表面的浮渣。