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基于掺镓碳点的分子印迹电致化学发光传感器的制备方法及其氯氰菊酯的检测应用

申请号: CN202311467362.7
申请人: 宁波大学
申请日期: 2023/11/7

摘要文本

本发明公开了基于掺镓碳点的分子印迹电致化学发光传感器的制备方法及其氯氰菊酯的检测应用,特点是具体步骤如下:1)将清洗氮吹后的电极迅速置于0.5mol/LH2SO4中进行循环伏安扫描至曲线稳定不变;2)将10μL浓度为1.25mg/mL镓掺杂碳点和5μL 0.5%Nafion混合溶液依次滴于电极表面,氮气氛围干燥后置于含有o‑PD和氯氰菊酯的磷酸缓冲液中,设置电位范围为‑1~0.5V,扫描速度为0.05V/s,循环扫描15个周期:3)将电极置于甲醇/乙酸混合溶液中振荡20min后即得基于掺镓碳点的分子印迹电致化学发光传感器,优点是特异性强、检测时间短、成本低、灵敏度和准确性高。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于掺镓碳点的分子印迹电致化学发光传感器的制备方法及其氯氰菊酯的检测应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311467362.7
申请日 2023/11/7
公告号 CN117647570A
公开日 2024/3/5
IPC主分类号 G01N27/30
权利人 宁波大学
发明人 史西志; 刘华; 张蓉蓉; 尤金杰; 孙爱丽; 李德祥
地址 浙江省宁波市江北区风华路818号

专利主权项内容

1.一种基于掺镓碳点的分子印迹电致化学发光传感器的制备方法,其特征在于具体步骤如下:采用0.05μm的AlO浆液将玻碳电极打磨至镜面,紧接着依次用超纯水、乙醇和超纯水超声清洗3-5次后,室温氮气吹干后,对电极进行活化,将氮吹后的电极迅速置于0.5mol/L HSO中,设置扫描电位范围为-1.0-1.0V,扫描速率为0.05V/s,进行循环伏安扫描至曲线稳定不变;接着将10μL浓度为1.25mg/mL镓掺杂碳点水溶液和5μL 0.5wt%Nafion溶液依次滴于电极表面,氮气氛围干燥得到Ga-CQDs修饰电极后,将Ga-CQDs/GCE置于含有100mmol/L邻苯二甲酸o-PD和20mmol/L氯氰菊酯的磷酸缓冲液中,设置电位范围为-1~0.5V,扫描速度为0.05V/s,循环扫描15个周期,获得MIP/Ga-CQDs/GCE,将MIP/Ga-CQDs/GCE置于30mL甲醇/乙酸混合溶液中振荡20-25min以去除模板分子氯氰菊酯,即得基于掺镓碳点的分子印迹电致化学发光传感器MIP/Ga-CQDs/GCE。2324