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硅碳负极材料、电池负极、电池及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种硅碳负极材料的制备方法，以多孔碳材料为基底，经分阶段硅源沉积后再进行表面碳包覆；分阶段硅源沉积包括：第一阶段，控制反应器内温度为300～800℃，初始压强为10～30Kpa，通入原料气的流速为2～10L/min；当反应器内压强开始出现下降进入下一阶段；第二阶段，将反应器内初始压强调整为5～8Kpa，调整通入原料气的流速为8～20L/min；当反应器内压强开始出现升高时结束沉积。本发明通过对硅沉积工艺的分阶段进行以及对每阶段的沉积工艺参数进行精确调控，显著提高多孔碳基底的孔结构利用率，以制备得到的硅碳负极材料制备的负极片并组装的电池，兼具优异的初始容量、首效及循环稳定性。
申请人信息
- 申请人:碳一新能源(杭州)有限责任公司; 碳一新能源集团有限责任公司; 浙江锂宸新材料科技有限公司
- 申请人地址:311121 浙江省杭州市余杭区五常街道岸汀街980号2幢10层
- 发明人: 碳一新能源(杭州)有限责任公司; 碳一新能源集团有限责任公司; 浙江锂宸新材料科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅碳负极材料、电池负极、电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311246513.6 |
| 申请日 | 2023/9/26 |
| 公告号 | CN117374239A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01M4/36 |
| 权利人 | 碳一新能源(杭州)有限责任公司; 碳一新能源集团有限责任公司; 浙江锂宸新材料科技有限公司 |
| 发明人 | 杜宁; 王振; 孙宁; 葛明; 叶天成; 岳敏 |
| 地址 | 浙江省杭州市余杭区五常街道岸汀街980号2幢10层; 浙江省衢州市江山市江山经济开发区(莲华山工业园)EN21-1区块; 浙江省湖州市长兴县太湖大道与陈王路交叉口长兴国家大学科技园二分部 |
专利主权项内容
1.一种硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以多孔碳材料为基底，经分阶段硅源沉积后在所述多孔碳材料孔穴内部沉积纳米硅颗粒，再经表面碳包覆得到所述高性能硅碳负极材料；所述分阶段硅源沉积以硅源气体为原料气进行气相沉积，包括：第一阶段，控制反应器内温度为300～800℃，初始压强为10～30Kpa，通入原料气的流速为2～10L/min；当反应器内压强开始出现下降，且压强变化值为初始压强的10～70％时，进入下一阶段；第二阶段，将反应器内初始压强调整为5～8Kpa，调整通入原料气的流速为8～20L/min；当反应器内压强开始出现升高，且压强变化值为初始压强的10～70％时，结束沉积。