一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质

摘要文本

本发明涉及光刻制程领域，特别是涉及一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质，通过获取待校掩膜及目标版图图案；对待校掩膜进行试验光刻，并对所述试验光刻的结果进行扫描，得到实际图像；根据所述实际图像，确定扫描边缘图案；确定所述目标版图图案上的取样点；将所述扫描边缘图案与所述目标版图图案叠图；确定各个所述取样点在垂直于所述目标版图图案的边缘的方向上，与所述扫描边缘图案的距离，作为凭证距离；根据各个所述取样点对应的凭证距离及所述目标版图图案，得到校正版图图案；对所述校正版图图案进行OPC处理，得到目标掩膜。本发明依据得到的实际图像对目标版图图案进行调整优化，提升了光学邻近效应修正的精度与准确度。