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基于太赫兹的纵向温度场的测量方法及装置

申请号: CN202311335482.1
申请人: 天目山实验室
申请日期: 2023/10/16

摘要文本

本申请涉及一种基于太赫兹的纵向温度场的测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:采用反射式脉冲太赫兹层析成像算法,每隔预设的深度间隔,采集目标测量对象的纵截面的太赫兹时域谱;基于所述目标测量对象的纵截面的太赫兹时域谱,计算所述目标测量对象的纵截面的光学参数谱;所述光学参数谱包括所述目标测量对象的纵截面图像上各像素点的光学参数;基于所述目标测量对象的纵截面的光学参数谱和预先构建的所述目标测量对象对应的温度影响模型,确定所述目标测量对象的纵向温度场;所述温度影响模型用于表示所述目标测量对象的光学参数与温度的关系。采用本方法能够提高纵向温度场测量的准确性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于太赫兹的纵向温度场的测量方法及装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311335482.1
申请日 2023/10/16
公告号 CN117346895A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 G01J5/00
权利人 天目山实验室
发明人 谷炎琦; 李海旺; 陶智
地址 浙江省杭州市余杭区五常街道西溪八方城11幢

专利主权项内容

1.一种基于太赫兹的纵向温度场的测量方法,其特征在于,所述方法包括:采用反射式脉冲太赫兹层析成像算法,每隔预设的深度间隔,采集目标测量对象的纵截面的太赫兹时域谱;基于所述目标测量对象的纵截面的太赫兹时域谱,计算所述目标测量对象的纵截面的光学参数谱;所述光学参数谱包括所述目标测量对象的纵截面图像上各像素点的光学参数;基于所述目标测量对象的纵截面的光学参数谱和预先构建的所述目标测量对象对应的温度影响模型,确定所述目标测量对象的纵向温度场;所述温度影响模型用于表示所述目标测量对象的光学参数与温度的关系。