一种分隔腔体带隔离灭弧的熔断器
摘要文本
本发明涉及高压直流熔断器的技术领域，尤其涉及一种分隔腔体带隔离灭弧的熔断器。包括：外壳体、接触端子和熔体D，接触端子设于外壳体的左右两侧，外壳体包括熔体上盖C、熔体隔板E和熔体底板F，熔体隔板E和熔体底板F的顶部上均设有凹槽，凹槽包括直线部分和弯曲部分，直线部分连通并设置于弯曲部分的两端；熔体D设于凹槽内，且熔体D的两端连接于接触端子；熔体D的形状与凹槽的形状相同，熔体D上设有狭颈，狭颈位于凹槽的弯曲部分处；其中，凹槽的弯曲部分在结构形状上可以隔断熔体狭颈在熔断时所产生的喷弧。本发明专利主要通过改变熔断器管体结构，在同等介质对喷弧进行隔断增大电弧的距离并分隔燃弧通道提升熔断器离弧灭弧能力。
申请人信息
- 申请人:杭州高特电子设备股份有限公司
- 申请人地址:310012 浙江省杭州市余杭区五常街道爱橙街198号中电海康集团有限公司海创园区F楼2层201室
- 发明人: 杭州高特电子设备股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种分隔腔体带隔离灭弧的熔断器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311629200.9 |
| 申请日 | 2023/12/1 |
| 公告号 | CN117334542B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01H85/08 |
| 权利人 | 杭州高特电子设备股份有限公司 |
| 发明人 | 吴齐彪; 徐剑虹; 钱林; 张丽君 |
| 地址 | 浙江省杭州市余杭区五常街道爱橙街198号中电海康集团有限公司海创园区F楼2层201室 |
专利主权项内容
1.一种分隔腔体带隔离灭弧的熔断器，其特征在于，该熔断器包括：外壳体，采用耐高温绝缘材料；所述的外壳体包括自上而下设置的熔体上盖C(3)、熔体隔板E(5)和熔体底板F(6)，所述熔体隔板E(5)和熔体底板F(6)的顶部上均设有延伸至两端端口处的凹槽(7)，所述的凹槽(7)包括直线部分和弯曲部分，所述的直线部分连通并设置于弯曲部分的两端；接触端子，采用导电材料；所述的接触端子包括接触端子A(1)和接触端子B(2)，所述的接触端子A(1)和接触端子B(2)分别固定连接于外壳体的左右两侧；以及熔体D(4)，采用导电材料；所述的熔体D(4)设于凹槽(7)内，并且熔体D(4)的两端连接于接触端子A(1)和接触端子B(2)；所述熔体D(4)的形状与凹槽(7)的形状相同，所述的熔体D(4)上设有狭颈(8)，所述的狭颈(8)位于凹槽(7)的弯曲部分处；其中，凹槽(7)的弯曲部分在结构形状上可以隔断熔体狭颈(8)在熔断时所产生的喷弧； 所述的熔体隔板E(5)设有若干个，且每个熔体隔板E(5)的结构均相同，在每个熔体隔板E(5)的凹槽(7)内均设有一条熔体D(4)；所述弯曲部分为多段V字型形状，而熔体D(4)的中部也同样为多段V字型形状，且狭颈(8)设于熔体D(4)的V字型的尖端弯折处。