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一种低跨膜电压的单片型双极膜及其制备方法
摘要文本
本发明涉及低跨膜电压的单片型双极膜及其制备方法，包括：将苯乙烯、二乙烯基苯及引发剂进行预聚合，形成果冻状时降温停止反应，制得膜液；将膜液加热至液体状，进行聚烯烃薄膜含浸；将含浸薄膜放入水中进行聚合反应制成底膜；将底膜进行氯甲基化并进行单面胺化，制成半阴膜；将半阴膜胺化的一面再进行单面部分磺化，使得此膜的阳层中和阴阳层界面处都有叔胺基团；将上一步处理得到的膜片再次进行单面季胺化，将膜中未反应的部分全部接枝季铵基团；将上一步处理得到的双极膜再浸泡在FeCl2溶液中，之后取出浸泡在碱液中转型，制得双极膜。本发明的单片型双极膜相比现有双极膜，有效降低了跨膜电压，且具备稳定的跨膜电压，有利于能耗降低。
申请人信息
- 申请人:杭州蓝然技术股份有限公司
- 申请人地址:310012 浙江省杭州市余杭区仓前街道褚家塘路17号蓝然科创园1幢7楼
- 发明人: 杭州蓝然技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低跨膜电压的单片型双极膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311564174.6 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117700806A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | C08J7/12 |
| 权利人 | 杭州蓝然技术股份有限公司 |
| 发明人 | 卿波; 廖巧; 楼照; 黄伟平 |
| 地址 | 浙江省杭州市余杭区仓前街道褚家塘路17号蓝然科创园1幢7楼 |
专利主权项内容
1.一种低跨膜电压的单片型双极膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将苯乙烯、二乙烯基苯及引发剂在第一温度下进行预聚合，当预聚物开始形成果冻状时降温停止反应，制备成膜液；(2)将膜液加热至液体状，此时将聚烯烃薄膜浸润在其中进行含浸，在含浸一定时间后，将含浸后薄膜从有机混合物中取出；(3)将含浸薄膜放入第二温度的水中进行聚合反应，聚合反应结束后，制成底膜；(4)将底膜进行氯甲基化并进行单面胺化，制成半阴膜；(5)将半阴膜胺化的一面再进行单面部分磺化，控制磺化反应条件，磺化结束后，使得此膜的阳层中和阴阳层界面处都有一定量的具备水解离催化能力的叔胺基团；(6)将步骤(5)处理得到的膜片再次进行单面季胺化，将膜中未反应的部分全部接枝季铵基团，反应完的膜片已具备双极膜特性；(7)将步骤(6)处理得到的双极膜再浸泡在FeCl溶液中，待浸泡一定时间后，再将膜片取出浸泡在碱液中转型，制得单片型双极膜。2