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一种耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料及其制备方法和应用

申请号: CN202311687762.9
申请人: 杭州象限科技有限公司
申请日期: 2023/12/11

摘要文本

本申请涉及电磁屏蔽材料技术领域中的一种耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤:S1,在纳米晶态软磁合金带材上覆上双面胶,制得覆胶纳米晶带材;S2,对所述覆胶纳米晶带材进行初级碎磁处理,制得单层纳米晶磁性层;S3,对所述单层纳米晶磁性层进行多层复合制得复合材料,对所述复合材料进行去应力处理,制得多层纳米晶磁性层;S4,对所述多层纳米晶磁性层进行次级碎磁处理,制得耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料。本申请所提供的耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料的制备方法创造性地采用两级碎磁结合去应力处理工艺,并采用特定的双面胶,使得制得的隔磁屏蔽材料具有更为优异的热稳定性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料及其制备方法和应用
专利类型 发明授权
申请号 CN202311687762.9
申请日 2023/12/11
公告号 CN117395978B
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H05K9/00
权利人 杭州象限科技有限公司
发明人 刘志坚; 倪成梁; 冯莉; 王古伟; 夏丹
地址 浙江省杭州市桐庐县城下城路55号

专利主权项内容

1.一种耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1,在纳米晶态软磁合金带材上覆上双面胶,制得覆胶纳米晶带材;S2,对所述覆胶纳米晶带材进行初级碎磁处理,制得单层纳米晶磁性层;S3,对所述单层纳米晶磁性层进行多层复合制得复合材料,对所述复合材料进行去应力处理,制得多层纳米晶磁性层;S4,对所述多层纳米晶磁性层进行次级碎磁处理,制得耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料;步骤S1中,所述双面胶为无基材双面胶或有基材双面胶,所述有基材双面胶中的基材为厚度不大于1.9μm的PET膜;所述双面胶中胶层的厚度为3~30μm,胶层中的粘结剂为丙烯酸类粘结剂或改性丙烯酸类粘结剂,所述改性丙烯酸类粘结剂为双甲基硅烷偶联剂改性的丙烯酸类粘结剂;步骤S3中,所述去应力处理包括:将所述复合材料于80~120℃下老化处理0.5~24h。