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一种沟槽型半导体功率器件及版图
摘要文本
本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件及版图，沟槽型半导体功率器件包括：圆环形的元胞区；第一终端区，位于所述元胞区内部，所述第一终端区为圆形，所述元胞区围绕所述第一终端区；第二终端区，位于所述元胞区外侧，所述第二终端区为圆环形，围绕所述元胞区；栅接触区，至少将所述元胞区隔断；屏蔽栅接触区，至少将所述元胞区隔断；所述栅接触区和所述屏蔽栅接触区将所述元胞区分隔形成圆弧段。
申请人信息
- 申请人:杭州芯迈半导体技术有限公司
- 申请人地址:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
- 发明人: 杭州芯迈半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽型半导体功率器件及版图 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311468016.0 |
| 申请日 | 2023/11/6 |
| 公告号 | CN117558748A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L29/423 |
| 权利人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 陈雷雷; 刘坚 |
| 地址 | 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 |
专利主权项内容
1.一种沟槽型半导体功率器件，包括：圆环形的元胞区；第一终端区，位于所述元胞区内部，所述第一终端区为圆形，所述元胞区围绕所述第一终端区；第二终端区，位于所述元胞区外侧，所述第二终端区为圆环形，围绕所述元胞区；栅接触区，至少将所述元胞区隔断；屏蔽栅接触区，至少将所述元胞区隔断；所述栅接触区和所述屏蔽栅接触区将所述元胞区分隔形成圆弧段。