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电容库创建方法、电容获取方法、电子设备及存储介质
摘要文本
本申请涉及电容库创建方法，包括：确定与模型结构对应的模型采样参数，模型结构包括位于第一金属层上的第一导体、位于第二金属层上的第二导体、以及位于第一金属层与第二金属层之间的至少一个介质层，模型采样参数用于指示模型结构的结构信息；基于模型采样参数，获取模型结构的至少一个采样结构；基于至少一个采样结构，以及至少一个采样结构下第一导体与第二导体之间的侧壁电容值和/或面电容值和/或耦合电容值创建电容库。本申请的电容库创建方法、电容获取方法、电子设备及存储介质能提高侧壁电容和/或面电容和/或耦合电容等的求解效率、且准确度高，且能适应多个介质层的场景，适应性好。
申请人信息
- 申请人:杭州行芯科技有限公司
- 申请人地址:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道丹枫路399号3号楼11层
- 发明人: 杭州行芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电容库创建方法、电容获取方法、电子设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311796479.X |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117473933A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | G06F30/39 |
| 权利人 | 杭州行芯科技有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 浙江省杭州市滨江区西兴街道丹枫路399号3号楼11层 |
专利主权项内容
1.一种电容库创建方法，其特征在于，包括如下步骤：确定与模型结构对应的模型采样参数，所述模型结构包括位于第一金属层上的第一导体、位于第二金属层上的第二导体、以及位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的至少一个介质层，所述模型采样参数用于指示所述模型结构的结构信息；基于所述模型采样参数，获取所述模型结构的至少一个以第一导体为主导体的采样结构；基于至少一个采样结构，以及所述至少一个采样结构下所述第一导体与所述第二导体之间的侧壁电容值和/或面电容值和/或耦合电容值创建电容库。