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一种沟槽型功率器件及其制备方法
摘要文本
本申请公开了一种沟槽型功率器件及其制备方法，沟槽型功率器件包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于衬底的第一表面；位于外延层中的第一沟槽栅和第二沟槽栅，第一沟槽栅和第二沟槽栅具有不同的深度，且在第一方向交替排列；第二掺杂类型的体区，位于外延层中；以及第一掺杂类型的源区，位于体区中；其中，体区包括：第一部分，在与第一方向相交的第二方向上，第一部分分别与第一沟槽栅和第二沟槽栅的侧壁邻接；以及第二部分，位于相邻的第一沟槽栅之间，在第一方向上，第一沟槽栅和第二部分交替排列，第二部分与第一沟槽栅的侧壁邻接；第二部分还位于第二沟槽栅下方，与第二沟槽栅的底壁邻接。
申请人信息
- 申请人:杭州芯迈半导体技术有限公司
- 申请人地址:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
- 发明人: 杭州芯迈半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽型功率器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311586903.8 |
| 申请日 | 2023/11/24 |
| 公告号 | CN117374124A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 孙钰 |
| 地址 | 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 |
专利主权项内容
1.一种沟槽型功率器件，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底的第一表面；位于所述外延层中的第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅具有不同的深度，且在第一方向交替排列；第二掺杂类型的体区，位于所述外延层中；以及第一掺杂类型的源区，位于所述体区中；其中，所述体区包括：第一部分，在与所述第一方向相交的第二方向上，所述第一部分分别与所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅的侧壁邻接；以及第二部分，位于相邻的第一沟槽栅之间，在第一方向上，所述第一沟槽栅和所述第二部分交替排列，所述第二部分与所述第一沟槽栅的侧壁邻接；所述第二部分还位于所述第二沟槽栅下方，与所述第二沟槽栅的底壁邻接。