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铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法
摘要文本
本公开涉及铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法。本公开实施方式提供一种用于制造铁电存储结构的方法，该方法包括：形成层叠于衬底的铁电沟道层；形成第一电极和第二电极，第一电极与第二电极沿铁电沟道层的延展方向间隔设置、且分别连接于铁电沟道层；形成调制电极，调制电极位于第一电极和第二电极之间，调制电极接触于铁电沟道层。本公开实施方式提供的用于制造铁电存储结构的方法，根据铁电沟道层形成第一电极、第二电极与调制电极，得到可调控沟道阻变的铁电存储结构，减少了因材料本身的质量缺陷、材料厚度不均以及微纳加工工艺等因素对产品稳定性造成的影响。。马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:浙江大学杭州国际科创中心
- 申请人地址:311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号
- 发明人: 浙江大学杭州国际科创中心
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311431186.1 |
| 申请日 | 2023/10/31 |
| 公告号 | CN117156863B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H10B51/30 |
| 权利人 | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 发明人 | 薛飞; 王丁; 王宝玉; 杨伟伟 |
| 地址 | 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号 |
专利主权项内容
1.用于制造铁电存储结构的阵列的方法，包括：形成层叠于衬底的铁电沟道层的阵列；形成第一电极的阵列和第二电极的阵列，所述第一电极与所述第二电极沿所述铁电沟道层的延展方向间隔设置、且分别肖特基接触于所述铁电沟道层；其特征在于，形成调制电极的阵列，所述调制电极位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述调制电极接触于所述铁电沟道层；对所述第一电极和所述第二电极施加正向电压或反向电压，以调整所述铁电沟道层的铁电铸极化方向；以及对所述调制电极施加调制电压，以对沟道铁电畴极化方向进行局部微调。