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光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机
摘要文本
(来 自 马 克 数 据 网) 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机,方法包括:提供真空腔室,真空腔室内设置有待处理的器件,器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物,污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物;向真空腔室内持续通入工艺气体;提供X射线,X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子,活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应,产生挥发性气态化合物;将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括:箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案,解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。
申请人信息
- 申请人:浙江大学杭州国际科创中心
- 申请人地址:310000 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
- 发明人: 浙江大学杭州国际科创中心
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311807633.9 |
| 申请日 | 2023/12/26 |
| 公告号 | CN117555209A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 发明人 | 王依; 高金铭; 刘天棋 |
| 地址 | 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号 |
专利主权项内容
1.一种光刻胶曝光污染物的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:提供真空腔室,所述真空腔室内设置有待处理的器件,所述器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物,所述污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物;向所述真空腔室内持续通入工艺气体;提供X射线,所述X射线用于激发所述工艺气体并使所述工艺气体产生活性粒子,所述活性粒子用于与所述待处理的器件上的碳污染物和/或所述氢化金属污染物反应,产生挥发性气态化合物;将挥发性气态化合物排出真空腔室。