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一种p型4H-SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极、其制备方法及包含该电极的半导体器件
摘要文本
本发明提供一种适用于任意掺杂浓度的p型4H‑SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，包括依次沉积于p型4H‑SiC基底上的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；进一步的，所述SiC/Al/Ti欧姆接触电极还包括沉积于所述第二电极层之上的第三电极层，所述第三电极层的材料选自金属Ni、Au、W或Mo中的任意一种或多种。本发明的p型4H‑SiC欧姆接触电极具有与现有工艺水平相当甚至更好的比接触电阻率，可以适用于所有p型4H‑SiC的电子器件。 来源：百度搜索马克数据网
申请人信息
- 申请人:浙江大学
- 申请人地址:310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 发明人: 浙江大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种p型4H-SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极、其制备方法及包含该电极的半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311262394.3 |
| 申请日 | 2023/9/27 |
| 公告号 | CN117558750A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L29/45 |
| 权利人 | 浙江大学 |
| 发明人 | 皮孝东; 步明轩; 杨德仁 |
| 地址 | 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |
专利主权项内容
1.一种p型4H-SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，其特征在于，包括依次沉积于p型4H-SiC基底上的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；其中：优选的，所述第一电极层的厚度为70nm以上；优选的，所述第二电极层的厚度为30nm以上；优选的，所述第一电极层的厚度为150nm以下；优选的，所述第二电极层的厚度为200nm以下；优选的，所述所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为60％～72％。。关注公众号马 克 数 据 网