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基于遗传算法的微流道超材料设计方法、电子设备、介质

申请号: CN202311532744.3
申请人: 浙江大学
申请日期: 2023/11/16

摘要文本

本发明公开了一种基于遗传算法的微流道超材料设计方法、电子设备、介质,微流道超材料传感器包括自下而上布置的衬底层、微流道层、金属谐振层以及支撑层;其中,金属谐振层是由若干个子结构组成的阵列;设计方法包括:确定微流道超材料传感器类型以及金属谐振层子结构;确定衬底层、金属谐振层以及支撑层的材料;构建等效电路模型,得到微流道超材料传感器的结构与电磁参数之间的映射关系;设置微流道超材料传感器的结构参数之间的约束关系;基于此,设置待设计的微流道超材料传感器的结构特征参数;以微流道超材料传感器的灵敏度、品质因数、半峰宽下的品质因数为优化指标,采用遗传算法对微流道超材料传感器的结构特征参数进行优化。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于遗传算法的微流道超材料设计方法、电子设备、介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311532744.3
申请日 2023/11/16
公告号 CN117524372A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 G16C60/00
权利人 浙江大学
发明人 曹雨齐; 刘恒; 张光新
地址 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

专利主权项内容

1.一种基于遗传算法的微流道超材料设计方法,其特征在于,微流道超材料传感器包括自下而上布置的衬底层、微流道层、金属谐振层以及支撑层;其中,金属谐振层是由若干个子结构组成的阵列;所述设计方法包括:根据谐振峰个数、谐振峰频率位置进行微流道超材料传感器类型以及金属谐振层子结构的选型;根据微流道超材料传感器类型与其在谐振峰频率段的吸收系数确定衬底层、金属谐振层以及支撑层的材料;基于微流道超材料传感器的结构构建等效电路模型,得到微流道超材料传感器的结构与电磁参数之间的映射关系;设置微流道超材料传感器的结构参数之间的约束关系;包括:两两金属谐振层子结构的间距大于0,且两两金属谐振层子结构之间相互不干涉;根据微流道超材料传感器的结构与电磁参数之间的映射关系以及微流道超材料传感器的结构参数之间的约束关系,设置待设计的微流道超材料传感器的结构特征参数;以微流道超材料传感器的灵敏度、品质因数、半峰宽下的品质因数为优化指标,采用遗传算法对微流道超材料传感器的结构特征参数进行优化。 来自马-克-数-据-官网