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一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法
摘要文本
本发明涉及一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法，涉及新材料半导体工艺技术领域，包括以下步骤：S1，包括刻蚀基底，刻蚀基底上覆盖有刻蚀掩膜；S2，采用共聚焦显微镜和台阶仪对刻蚀掩膜进行测量；S3，刻蚀，并在刻蚀后，将刻蚀掩膜去除。本发明通过共聚焦显微镜和台阶仪共同对刻蚀掩膜进行测量，不仅能得到误差较小的结果，而且适用于尺寸较小的图形。 更多数据：搜索马克数据网来源：www.macrodatas.cn
申请人信息
- 申请人:杭州泽达半导体有限公司
- 申请人地址:310000 浙江省杭州市钱塘区河庄街道东围路599号博潮城6幢北一层、二层
- 发明人: 杭州泽达半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311509730.X |
| 申请日 | 2023/11/14 |
| 公告号 | CN117497442A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 杭州泽达半导体有限公司 |
| 发明人 | 木村有 |
| 地址 | 浙江省杭州市钱塘区河庄街道东围路599号博潮城6幢北一层、二层 |
专利主权项内容
1.一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，包括刻蚀基底，刻蚀基底上覆盖有刻蚀掩膜；S2，采用共聚焦显微镜和台阶仪对刻蚀掩膜进行测量；S3，刻蚀，并在刻蚀后，将刻蚀掩膜去除。