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亚微米级高纯度SiO2空心微球的可控性制备方法及其产品

申请号: CN202310297507.7
申请人: 高林
申请日期: 2023/3/24

摘要文本

本发明提供了亚微米级高纯度SiO2空心微球的可控性制备方法及其产品。通过改性表面活性剂,达到以pH调控分散体系,控制二氧化硅形成的形貌和粒径大小的目的。所述改性表面活性剂的结构式I所示。本发明通过制备改性表面活性剂,达到对亚微米级SiO2空心微球的粒径进行可控性制备,所得到的SiO2空心微球纯度高、粒径分布窄,最低粒径仅842nm。同时,本发明提供的制备方法简单、经济,无需高温煅烧加热,通过调整pH即可可控性制备所需粒径SiO2空心微球,具有广阔的应用前景。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 亚微米级高纯度SiO2空心微球的可控性制备方法及其产品
专利类型 发明申请
申请号 CN202310297507.7
申请日 2023/3/24
公告号 CN117342569A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 C01B33/187
权利人 高林
发明人 高林
地址 浙江省温州市乐清市乐成街道建设西路

专利主权项内容

1.亚微米级高纯度SiO空心微球的可控性制备方法,其特征在于,包括:2步骤1:配置硅酸钠溶液,放入反应器;步骤2:边搅拌边向反应器中加入改性表面活性剂,继续搅拌;步骤3:向上述反应液中加入稀硫酸,当反应液体系中出现乳化点时,加入水搅拌,控制pH在5-8,得到预产物;步骤4:喷雾干燥,分散后得到所述亚微米粒径的高纯度二氧化硅空心微球;其中,所述改性表面活性剂的结构式如式I所示:。马-克-数据