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一种硅负极材料及其制备方法和应用
摘要文本
马 克 数 据 网 。本发明涉及一种硅负极材料及其制备方法和应用,属于二次电池技术领域。本发明提供的硅负极材料包括多孔的γ相偏铝酸锂和碳包覆层,所述多孔的γ相偏铝酸锂的孔中依次沉积有碳层和硅材料层,所述碳包覆层包覆在沉积有所述碳层和所述硅材料层的多孔的γ相偏铝酸锂表面。本发明硅负极材料可有效防止硅材料与电解液直接发生接触,并且从材料端抑制了循环过程中硅的体积膨胀,有效地缓解了体积变化,使电极材料的结构更加稳定,从而提升了材料的电化学性能。
申请人信息
- 申请人:瑞浦兰钧能源股份有限公司
- 申请人地址:325000 浙江省温州市龙湾区空港新区滨海六路205号C幢A205室
- 发明人: 瑞浦兰钧能源股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅负极材料及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311627886.8 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117352704A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01M4/36 |
| 权利人 | 瑞浦兰钧能源股份有限公司 |
| 发明人 | 郑银坤; 孙语蔚; 李卓杰; 刘婵; 侯敏; 曹辉 |
| 地址 | 浙江省温州市龙湾区空港新区滨海六路205号C幢A205室 |
专利主权项内容
1.一种硅负极材料,其特征在于,所述硅负极材料包括多孔的γ相偏铝酸锂和碳包覆层,所述多孔的γ相偏铝酸锂的孔中依次沉积有碳层和硅材料层,所述碳包覆层包覆在沉积有所述碳层和所述硅材料层的多孔的γ相偏铝酸锂表面。 百度搜索马 克 数 据 网