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一种半导体用清洗剂、制备方法及清洗方法
摘要文本
本发明涉及半导体材料清洗剂技术领域，特别涉及一种半导体用清洗剂、制备方法及清洗方法，在现有的氢氧化钾、烷基苯磺酸盐及聚氧乙烯烷基醚组成的清洗剂的基础上，加入B组分，利用B组分中的分解剂的成分，在清洗剂完成对硅片表面清洗后，分解烷基苯磺酸盐，破坏在硅片表面形成的保护膜的稳定结构，使得烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚及解离酸，被氢氧化钾快速的分解，减少烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚及解离酸在硅片表面的残留，形成清洗与保护硅片及去除硅片表面残留清洗剂保护膜的动态平衡。
申请人信息
- 申请人:浙江众益电源有限公司
- 申请人地址:313100 浙江省湖州市长兴县和平镇横涧村
- 发明人: 浙江众益电源有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体用清洗剂、制备方法及清洗方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311470823.6 |
| 申请日 | 2023/11/6 |
| 公告号 | CN117736809A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | C11D1/83 |
| 权利人 | 浙江众益电源有限公司 |
| 发明人 | 范小满; 范晓静 |
| 地址 | 浙江省湖州市长兴县和平镇横涧村 |
专利主权项内容
1.一种半导体用清洗剂，其特征在于，包括A组分与B组分；A组分由以下重量份的原料组成：50-60份的无机碱、10-15份的表面活性剂I、10-15份的表面活性剂II、10-20份的有机溶剂、2-5份的络合剂、2-5份的缓冲剂、2-5份的抗泡剂及150-200份的水；B组分由以下重量份的原料组成：50-60份的分解剂及30-40份的PH调节剂；其中，A组分中的所述无机碱为氢氧化钾，所述表面活性剂I为烷基苯磺酸盐，所述表面活性剂II为聚氧乙烯烷基醚，所述有机溶剂为乙醇；B组分中的所述分解剂为双氧水，所述PH调节剂为苹果酸、柠檬酸、醋酸中的一种或多种。