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III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法
摘要文本
本发明提供一种III‑V族化合物半导体材料的刻蚀方法，包括：基于图形化的硬掩膜层，通过多次循环的原子层刻蚀过程自外延层的显露部分去除预定厚度的外延材料，每次原子层刻蚀过程通过交替执行钝化步骤和刻蚀步骤的方式来执行，包括：在向衬底施加偏压的情况下，用含有氧离子的第一气体混合物对外延层的显露部分进行表面修饰，形成表面钝化层；将表面钝化层暴露于含有氯离子的第二气体混合物，去除表面钝化层。本发明通过先后将外延层暴露于含有氧离子和氯离子的反应物体系构成原子层刻蚀循环，实现对刻蚀深度和均匀度的精确控制，提升刻蚀工艺的控制精度，多次循环地执行上述ALE过程，能够大幅度缩短工序步骤。
申请人信息
- 申请人:浙江集迈科微电子有限公司
- 申请人地址:313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
- 发明人: 浙江集迈科微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311766582.X |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117438299A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/3065 |
| 权利人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 发明人 | 马飞; 邹鹏辉; 王文博; 邱士起; 周康; 程永健 |
| 地址 | 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 |
专利主权项内容
1.一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：形成位于衬底上的外延层，所述外延层包含III-V族化合物半导体材料；形成硬掩膜层于所述外延层之上，图形化所述硬掩膜层，以显露出所述外延层的一部分；基于图形化的所述硬掩膜层，通过多次循环的原子层刻蚀过程自所述外延层的显露部分去除预定厚度的外延材料，每次原子层刻蚀过程通过交替执行钝化步骤和刻蚀步骤的方式来执行；通过如下方式执行所述钝化步骤：在向所述衬底施加偏压的情况下，用含有氧离子的第一气体混合物对所述外延层的显露部分进行表面修饰，形成表面钝化层；通过如下方式执行所述刻蚀步骤：将所述表面钝化层暴露于含有氯离子的第二气体混合物，去除所述表面钝化层。