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凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法
摘要文本
本发明提供一种凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、外延叠层、凹槽栅结构、金属源极和金属漏极，外延叠层包括自下而上依次叠置的GaN沟道层和势垒层，凹槽栅结构包括自下而上依次叠置的GaN层、Al组分渐变的AlGaN层以及金属栅极；金属源极和金属漏极分别设置于贯穿势垒层而至GaN沟道层的开口中。本发明利用局域Al组分渐变AlGaN层产生高浓度的空穴，对栅下二维电子器的耗尽，实现增强型GaN基HEMT器件，Al组分渐变AlGaN层与P型GaN相比具有更大的禁带宽度，能够有效改善栅漏电，提高击穿电压，以及提升器件的可靠性。
申请人信息
- 申请人:浙江集迈科微电子有限公司
- 申请人地址:313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
- 发明人: 浙江集迈科微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311725665.4 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117438457B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 发明人 | 邹鹏辉; 王文博; 马飞 |
| 地址 | 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 |
专利主权项内容
1.一种凹槽栅型GaN基HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；外延叠层，位于所述衬底之上，所述外延叠层包括自下而上依次叠置的GaN沟道层和势垒层，所述势垒层上设置有自其表面向内部延伸的凹槽；凹槽栅结构，位于所述凹槽内，所述凹槽栅结构包括自下而上依次叠置的GaN层、Al组分渐变的AlGaN层以及金属栅极，所述Al组分渐变的AlGaN层具有沿其生长方向线性递减至零的Al组分变化；金属源极和金属漏极，所述金属源极和所述金属漏极分别设置于贯穿至所述GaN沟道层的开口中，所述金属源极和所述金属漏极分别与所述GaN沟道层形成欧姆接触，所述Al组分渐变的AlGaN层与所述金属栅极形成肖特基接触。