← 返回列表
用于提高刻蚀均匀度的整流组件及其使用方法
摘要文本
本发明提供一种用于提高刻蚀均匀度的整流组件，包括：支承环和多个叶片，多个叶片位于支承环上且沿支承环的周向排布，各叶片枢接至支承环，叶片朝向支承环中心的一端处于支承环的内环正投影以内且远离支承环的一端通过传动机构连接至致动机构，致使叶片绕枢轴转动以使多个叶片共同围合成相对于支承环的内环面积更小的通流区域。本发明利用利用多个叶片界定出与支承环的内环面积相比更小的通流区域，由此修整到达待处理晶圆表面的气流分布，应用前述的整流组件，根据刻蚀的进程可操作致动机构以带动多个叶片中的至少一些绕枢轴转动，实时调整共同界定的通流区域的轮廓，来赋予刻蚀均匀度的调节能力。
申请人信息
- 申请人:浙江集迈科微电子有限公司
- 申请人地址:313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
- 发明人: 浙江集迈科微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于提高刻蚀均匀度的整流组件及其使用方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311724779.7 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117410166A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01J37/32 |
| 权利人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 发明人 | 夏茂龙; 林志威; 殷浪; 陈志威; 项梅利 |
| 地址 | 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 |
专利主权项内容
1.一种整流组件，其特征在于，包括：支承环，多个叶片，位于所述支承环上且沿所述支承环的周向排布，各叶片枢接至所述支承环，所述叶片朝向支承环中心的一端处于所述支承环的内环正投影以内，并且所述叶片远离所述支承环的一端通过传动机构连接至外部致动机构，致使所述叶片绕枢轴转动以使多个所述叶片共同围合成相对于所述支承环的内环面积更小的通流区域。