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降籽晶过程的控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备

申请号: CN202311815537.9
申请人: 浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江求是半导体设备有限公司
申请日期: 2023/12/27

摘要文本

本申请涉及一种降籽晶过程的控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备。所述方法包括:获取长晶炉内的实时图像;基于所述实时图像与预先训练的缺陷检测模型,确定所述实时图像中目标区域图像,以及所述目标区域图像的缺陷类型和位置信息;基于所述目标区域图像和所述缺陷类型,判断是否存在融化缺陷;若融化缺陷存在,则控制所述长晶炉提升籽晶和/或降低加热功率,重新降籽晶。采用本方法可以提高降籽晶过程的控制调整及时性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 降籽晶过程的控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202311815537.9
申请日 2023/12/27
公告号 CN117468083A
公开日 2024/1/30
IPC主分类号 C30B15/20
权利人 浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江求是半导体设备有限公司
发明人 傅林坚; 刘华; 李亮
地址 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号; 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室

专利主权项内容

1.一种降籽晶过程的控制方法,其特征在于,所述降籽晶过程的控制方法包括:获取长晶炉内的实时图像;基于所述实时图像与预先训练的缺陷检测模型,确定所述实时图像中目标区域图像,以及所述目标区域图像的缺陷类型和位置信息;所述缺陷检测模型包括依次连接的主干网络、双向融合网络和检测头网络,所述主干网络用于对所述实时图像进行籽晶特征的提取;所述双向融合网络用于对所述籽晶特征进行融合,得到融合籽晶特征;所述检测头网络用于基于融合籽晶特征,确定所述实时图像中目标区域图像,以及所述目标区域图像的缺陷类型和位置信息;基于所述目标区域图像和所述缺陷类型,判断是否存在融化缺陷;若融化缺陷存在,则控制所述长晶炉提升籽晶和/或降低加热功率,重新降籽晶。