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一种PECVD沉积BSG-硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统
摘要文本
本发明提供了一种PECVD沉积BSG‑硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250‑500℃，压力为800‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4、B2H6和N2O，稀释气体包括Ar、H2或N2中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的方法特别适用于大尺寸电池在大管径的PECVD设备上沉积BSG，提升了硼掺杂均匀性及掺杂浓度，降低了表面BSG层去除难度，改善了钝化效果，同时简化了工艺流程，提高了生产效率，有利于大规模推广应用。 关注公众号马克数据网
申请人信息
- 申请人:浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江晶盛光子科技有限公司
- 申请人地址:312300 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
- 发明人: 浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江晶盛光子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种PECVD沉积BSG-硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311783594.3 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117766600A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L31/0224 |
| 权利人 | 浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江晶盛光子科技有限公司 |
| 发明人 | 王树林; 李鹏飞; 卢卫华 |
| 地址 | 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号; 浙江省杭州市临平区余杭经济技术开发区顺达路500号1幢105室 |
专利主权项内容
1.一种PECVD沉积BSG-硼源层制备硼发射极的方法，其特征在于，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250-500℃，压力为800-3000mTorr，工艺气体包括SiH、BH和NO，稀释气体包括Ar、H或N中的任意一种或至少两种的组合。426222