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晶棒生长控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备
摘要文本
本申请涉及一种晶棒生长控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备，该方法包括获取长晶炉内实时图像；将实时图像输入至预先训练的生长检测模型得到实时图像中目标区域图像，以及晶棒生长检测结果；若检测结果为异常则基于目标区域图像重新进行试温拉结；生长检测模型包括依次连接的自适应对比度增强模块、主干网络、颈部网络和检测网络；自适应对比度增强模块增强实时图像得到增强图像；主干网络基于增强图像进行晶结特征提取；主干网络还包括注意力融合模块用于增强晶结特征；颈部网络对晶结特征融合得到融合晶结特征；检测网络基于融合晶结特征确定目标区域图像，以及对应的晶棒生长检测结果。采用本方法能够提高晶棒生长判断准确率和安全性。
申请人信息
- 申请人:浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江求是半导体设备有限公司
- 申请人地址:312300 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
- 发明人: 浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江求是半导体设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶棒生长控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311815614.0 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117468085A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | C30B15/26 |
| 权利人 | 浙江晶盛机电股份有限公司; 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 发明人 | 傅林坚; 刘华; 李亮 |
| 地址 | 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号; 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室 |
专利主权项内容
1.一种晶棒生长控制方法，其特征在于，所述晶棒生长控制方法包括：获取长晶炉内的实时图像；将所述实时图像输入至预先训练的生长检测模型，得到所述实时图像中目标区域图像，以及晶棒生长检测结果；若所述检测结果为晶棒生长异常，则基于所述目标区域图像重新进行试温拉结；所述生长检测模型包括依次连接的自适应对比度增强模块、主干网络、颈部网络和检测网络；所述自适应对比度增强模块用于增强所述实时图像，得到增强图像；所述主干网络用于基于所述增强图像进行晶结特征的提取；所述主干网络还包括注意力融合模块，用于增强所述晶结特征；所述颈部网络用于对所述晶结特征进行融合，得到融合晶结特征；所述检测网络用于基于所述融合晶结特征，确定所述目标区域图像，以及对应于所述目标区域图像的晶棒生长检测结果。。微信公众号马克 数据网