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一种屏蔽栅型MOSFET终端结构及制作方法
摘要文本
本发明提供一种屏蔽栅型MOSFET终端结构及制作方法，涉及半导体芯片制造工艺技术领域。该屏蔽栅型MOSFET终端结构，包括漏极金属层、衬底和外延层，所述漏极金属层设置于衬底一侧，所述外延层设置于衬底远离漏极金属层一侧，所述外延层外端中心线一侧由内向外依次设置有终端区域和有源区域，且其另一侧设置有截止环区域；所述有源区域内等间距环绕设置有沟槽，所述沟槽通过其上设置的源极金属层引出；所述终端区域设置有两条沟槽终端。通过提升器件终端的击穿电压，从而使得器件最优值FOM降低并且拥有更高的性价比，同时，减少可移动离子以及带电粒子进入器件内部，从而使得器件拥有很高的稳定性。。 （更多数据，详见）
申请人信息
- 申请人:华羿微电子股份有限公司
- 申请人地址:710000 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
- 发明人: 华羿微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种屏蔽栅型MOSFET终端结构及制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311295151.X |
| 申请日 | 2023/10/9 |
| 公告号 | CN117059669B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 苏毅; 常虹; 袁力鹏; 朱黎; 范玮 |
| 地址 | 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 |
专利主权项内容
1.一种屏蔽栅型MOSFET终端结构，包括漏极金属层、衬底和外延层，所述漏极金属层设置于衬底一侧，所述外延层设置于衬底远离漏极金属层的一侧，所述外延层外端中心线一侧由内向外依次设置有终端区域和有源区域，所述外延层外端中心线另一侧设置有截止环区域；其特征在于，所述有源区域内等间距环绕设置有沟槽，所述沟槽通过源极金属层引出；所述终端区域设置有两条沟槽终端，其中靠近有源区域的一条所述沟槽终端与器件源极相连，且另一条所述沟槽终端为悬空设置；所述截止环区域设置有三条沟槽环，所述沟槽环通过其上设置的截止环金属层引出，所述沟槽环通过接触孔与漏极金属层连接。