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一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法

申请号: CN202311679102.6
申请人: 西安建筑科技大学
申请日期: 2023/12/8

摘要文本

本发明属于发光材料技术领域,公开一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法;所述荧光粉通过以NaGdGeO4为基质,引入掺杂离子M获得;且荧光粉的分子式为NaGdGeO4 : xM;其中,M为Pb2+、Tb3+、Re3+中的一种或多种;x为掺杂离子M占所述基质中Gd的摩尔掺杂浓度,且0<x≤3%。本发明基于陷阱调控,实现了光致发光,余辉,热激励荧光等荧光性质的调控,尤其实现了荧光粉的反常热淬灭现象及热增容陷阱填充现象,实现了高容量信息写入和多级信息读出,为第四代光信息储存提供了材料基础。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311679102.6
申请日 2023/12/8
公告号 CN117363352B
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 C09K11/78
权利人 西安建筑科技大学
发明人 高当丽; 王志刚
地址 陕西省西安市碑林区雁塔路13号

专利主权项内容

1.一种用于信息储存的荧光粉,其特征在于,通过以NaGdGeO为基质,引入掺杂离子M获得;且荧光粉的分子式为NaGdGeO : M;44x其中,M为Pb、Tb和Re;2+3+3+Re为Eu、Yb、Y、Ce、Dy、Nd、Tm、Er、Ho、La、Lu、Sm、Pr、Sc中的任意一种;3+3+3+3+3+3+3+3+3+3+3+3+3+3+3+Pb、Tb和Re分别占所述基质中Gd的摩尔掺杂浓度为0.5%~1%、1%~2%和0%~0.0000025%;且Pb、Tb和Re占所述基质中Gd的总摩尔掺杂浓度为,0<≤3%。2+3+3+2+3+3+xx。搜索马 克 数 据 网