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一种功率半导体模块的最小结温布局方法

申请号: CN202311742144.X
申请人: 西安交通大学; 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
申请日期: 2023/12/18

摘要文本

本发明公开了一种功率半导体模块的最小结温布局方法,涉及功率半导体技术领域,包括以下步骤:分别构建两个功率半导体绝对温度的拉普拉斯三维导热偏微分方程;将两个功率半导体的相对温度的偏微分方程展开为傅里叶级数,得到两个功率半导体的相对温度;根据两个功率半导体的相对温度得到两个功率半导体的自热阻和耦合热阻;对第一功率半导体的自热阻和耦合热阻进行求和;求解第一功率半导体的总热阻的偏导数,根据偏导数结果对第一功率半导体和第二功率半导体的位置进行布局。本发明不增加设计的复杂度,仅通过优化功率半导体的位置和功率半导体之间的相对位置,降低功率半导体的工作结温,可以减小连接层承受的应力,增强整体的可靠性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种功率半导体模块的最小结温布局方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311742144.X
申请日 2023/12/18
公告号 CN117709282A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 G06F30/392
权利人 西安交通大学; 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
发明人 王来利; 孔航; 姚乙龙; 崔洪昌
地址 陕西省西安市咸宁西路28号; 浙江省绍兴市越城区平江路2号绍兴水木湾区科学园3号楼19层1901

专利主权项内容

1.一种功率半导体模块的最小结温布局方法,其特征在于,所述功率半导体模块包括中心对称设置在金属陶瓷绝缘导电基板上的第一功率半导体和第二功率半导体,该方法包括以下步骤:建立三维直角坐标系,分别构建两个功率半导体绝对温度的拉普拉斯三维导热偏微分方程;基于所述偏微分方程,将两个功率半导体的相对温度的偏微分方程展开为傅里叶级数,得到两个功率半导体的相对温度;根据两个功率半导体的相对温度得到两个功率半导体的自热阻;根据第二功率半导体的相对温度求解得到第一功率半导体的耦合热阻;对第一功率半导体的自热阻和耦合热阻进行求和,得到第一功率半导体的总热阻;求解第一功率半导体的总热阻的偏导数,根据偏导数结果对第一功率半导体和第二功率半导体的位置进行布局。 来源:百度搜索