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一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法

申请号: CN202311186682.5
申请人: 西安交通大学
申请日期: 2023/9/14

摘要文本

本发明属于柔性无铅铁电薄膜的制备技术领域,具体涉及一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法,包括以下步骤:S1、采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上依次沉积Sr3Al2O6和KNN‑BZ‑BNT外延单晶薄膜;S2、利用热塑性树脂在S1外延单晶薄膜上表面粘合CPI薄膜基底,然后在薄膜表面施加等静压的同时升温至80‑130℃加热固化;S3、用去离子水使S2样品中的Sr3Al2O6溶解,即可使外延单晶薄膜转移至CPI基底上。本发明采用Sr3Al2O6作为牺牲层,结合剥离转移技术,实现了在CPI薄膜基板上无铅铁电薄膜的集成,有利于柔性无铅铁电器件的柔性化、透明化和集成化。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311186682.5
申请日 2023/9/14
公告号 CN117328139A
公开日 2024/1/2
IPC主分类号 C30B23/02
权利人 西安交通大学
发明人 李超; 董国华
地址 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

专利主权项内容

1.一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、采用脉冲激光沉积工艺在SrTiO单晶基片上依次沉积SrAlO和0.915(KNaLi)NbO-0.075BaZrO-0.01(BiNa)TiO外延单晶薄膜;33260.450.50.05330.50.53S2、利用热塑性树脂在S1外延单晶薄膜上表面粘合CPI薄膜基底,然后在薄膜表面施加等静压的同时升温至80℃-130℃加热固化;S3、用去离子水使S2样品中的SrAlO溶解,即可使外延单晶薄膜转移至CPI基底上。326 微信公众号