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一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法
摘要文本
本发明属于柔性无铅铁电薄膜的制备技术领域,具体涉及一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法,包括以下步骤:S1、采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上依次沉积Sr3Al2O6和KNN‑BZ‑BNT外延单晶薄膜;S2、利用热塑性树脂在S1外延单晶薄膜上表面粘合CPI薄膜基底,然后在薄膜表面施加等静压的同时升温至80‑130℃加热固化;S3、用去离子水使S2样品中的Sr3Al2O6溶解,即可使外延单晶薄膜转移至CPI基底上。本发明采用Sr3Al2O6作为牺牲层,结合剥离转移技术,实现了在CPI薄膜基板上无铅铁电薄膜的集成,有利于柔性无铅铁电器件的柔性化、透明化和集成化。
申请人信息
- 申请人:西安交通大学
- 申请人地址:710049 陕西省西安市咸宁西路28号西安交通大学
- 发明人: 西安交通大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311186682.5 |
| 申请日 | 2023/9/14 |
| 公告号 | CN117328139A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | C30B23/02 |
| 权利人 | 西安交通大学 |
| 发明人 | 李超; 董国华 |
| 地址 | 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
专利主权项内容
1.一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、采用脉冲激光沉积工艺在SrTiO单晶基片上依次沉积SrAlO和0.915(KNaLi)NbO-0.075BaZrO-0.01(BiNa)TiO外延单晶薄膜;33260.450.50.05330.50.53S2、利用热塑性树脂在S1外延单晶薄膜上表面粘合CPI薄膜基底,然后在薄膜表面施加等静压的同时升温至80℃-130℃加热固化;S3、用去离子水使S2样品中的SrAlO溶解,即可使外延单晶薄膜转移至CPI基底上。326 微信公众号