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一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法

申请号: CN202311223321.3
申请人: 京瓷高压(西安)科技有限公司; 西安健信电力电子陶瓷有限责任公司
申请日期: 2023/9/21

摘要文本

本发明公开了一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法,该电容器陶通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x)Pb(Zr0.8Ti0.2)O3‑yMgO。制备方法包括将(Sr0.7Bi0.2)TiO3预烧粉、Pb(Zr0.8Ti0.2)O3预烧粉和MgO球磨混合、烘干、研磨、过筛,得到低铅含量电容器陶瓷配方粉体,向低铅含量电容器陶瓷配方粉体中加入聚乙烯醇水溶液,经研磨、过筛和压制成型,得到坯体,将坯体经煅烧排胶、烧结和梯度退火,得到电容器陶瓷。本发明的电容器陶瓷具有可耐受高冷高热等极端环境的特点,优选的,该方法包括在烧结之后进行梯度退火,可实现陶瓷晶界净化,增强晶粒之间结合强度。 马 克 数 据 网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311223321.3
申请日 2023/9/21
公告号 CN117342869A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 C04B35/491
权利人 京瓷高压(西安)科技有限公司; 西安健信电力电子陶瓷有限责任公司
发明人 乔双健; 徐海明; 黄军; 王金刚; 石凯祥
地址 陕西省西安市沣东新城科源四路中兴深蓝科技产业园2号楼1层C户; 陕西省西安市高新区高新路枫叶高层45号楼302号

专利主权项内容

1.一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷,其特征在于,所述低铅电容器陶的通式为x(SrBi)TiO-(1-x)Pb(ZrTi)O-yMgO,0.85≤x≤0.94,0.02≤y≤0.06。0.70.230.80.23