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一种太阳能电池的制作方法、太阳能电池和电池串
摘要文本
本发明公开了一种太阳能电池的制作方法、太阳能电池和电池串，涉及太阳能电池技术领域，以解决主栅与硅基底接触，破坏钝化层，导致开路电压降低，影响光电转换效率的问题。所述太阳能电池的制作方法包括：在半导体基底的一面形成发射极层，半导体基底和发射极层的导电类型相反，发射极层与半导体基底共同形成PN结。在发射极层上形成钝化层，在钝化层上形成绝缘层。在绝缘层上形成沿第一方向延伸，且沿第二方向间隔分布的主栅，第一方向不同于第二方向。在绝缘层上形成沿第二方向延伸，且沿第一方向间隔分布的细栅。其中，主栅向发射极层方向延伸，主栅延伸的深度不超过钝化层厚度的90％，且超过绝缘层厚度的20％。
申请人信息
- 申请人:西安隆基乐叶光伏科技有限公司
- 申请人地址:710199 陕西省西安市国家民用航天产业基地航天中路388号员工餐厅二楼207室
- 发明人: 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种太阳能电池的制作方法、太阳能电池和电池串 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311296304.2 |
| 申请日 | 2023/10/8 |
| 公告号 | CN117457788A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 发明人 | 李振国; 党杰涛 |
| 地址 | 陕西省西安市国家民用航天产业基地航天中路388号员工餐厅二楼207室 |
专利主权项内容
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底的一面形成发射极层；所述半导体基底和所述发射极层的导电类型相反，且所述发射极层与所述半导体基底共同形成PN结；在所述发射极层上形成钝化层；在所述钝化层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成主栅；所述主栅沿第一方向延伸，且沿第二方向间隔分布；所述第一方向不同于所述第二方向；在所述绝缘层上形成细栅；所述细栅沿第二方向延伸，且沿第一方向间隔分布；每条所述主栅与多条所述细栅相交；所述细栅穿过所述钝化层和所述绝缘层，并与所述发射极层连接；其中，所述主栅向所述发射极层方向延伸，所述主栅延伸的深度不超过所述钝化层厚度的90％，且超过所述绝缘层厚度的20％；深度方向、所述钝化层的厚度方向和所述绝缘层的厚度方向均与朝向所述半导体基底的方向一致。