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一种太阳能电池及其制造方法

申请号: CN202311776829.6
申请人: 隆基绿能科技股份有限公司
申请日期: 2023/12/22

摘要文本

本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,用于增强第一掺杂区的载流子收集能力,利于提升太阳能电池的光电转换效率。所述太阳能电池包括:半导体基底、表面钝化层和掺杂剂。半导体基底的向光面和/或背光面具有第一掺杂区。表面钝化层形成在半导体基底具有第一掺杂区的一侧。表面钝化层内设有多个导电窗口。掺杂剂通过导电窗口贯穿表面钝化层形成第一掺杂区。第一掺杂区包括至少一个掺杂子区。沿掺杂子区的长度方向,每个掺杂子区的两端向半导体基底内凹入的最大深度大于掺杂子区的中部向半导体基底内凹入的最大深度。所述太阳能电池的制造方法用于制造上述太阳能电池。 来自马-克-数-据-官网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种太阳能电池及其制造方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311776829.6
申请日 2023/12/22
公告号 CN117457760A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 H01L31/0264
权利人 隆基绿能科技股份有限公司
发明人 童洪波; 李振国; 於龙; 王凯; 靳玉鹏
地址 陕西省西安市长安区航天中路388号

专利主权项内容

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:半导体基底,所述半导体基底的向光面和/或背光面具有第一掺杂区;表面钝化层,形成在所述半导体基底具有所述第一掺杂区的一侧;所述表面钝化层内设有多个导电窗口;掺杂剂,通过所述导电窗口贯穿所述表面钝化层形成所述第一掺杂区;所述第一掺杂区包括至少一个掺杂子区;沿所述掺杂子区的长度方向,每个所述掺杂子区的两端向所述半导体基底内凹入的最大深度大于所述掺杂子区的中部向所述半导体基底内凹入的最大深度。